IS61WV25616EFBLL-10TLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用高速 CMOS 技术制造,具有低功耗和高稳定性的特点。其容量为 256K x 16 位(即 4Mbit),支持宽电压范围,并具备快速访问时间。它通常用于需要高性能、实时数据处理的应用场景。
这款 SRAM 提供工业级的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于各种工业和商业环境。此外,该器件使用符合 RoHS 标准的封装形式,确保环保与可靠性。
容量:256K x 16 位 (4Mbit)
访问时间:10ns
工作电压:3.3V 或 2.5V
封装类型:TQFP-100
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
I/O 电压:3.3V 或 2.5V
刷新方式:无需刷新
接口类型:同步/异步兼容
封装引脚数:100
IS61WV25616EFBLL-10TLI 具有以下显著特性:
1. 高速性能:支持 10ns 的快速访问时间,能够满足实时系统的需求。
2. 低功耗设计:在待机模式下几乎不消耗电流,非常适合对功耗敏感的应用。
3. 稳定性强:提供全面的数据保护机制,避免因外部干扰导致的数据丢失。
4. 工业级温度支持:能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内正常工作,适应恶劣环境。
5. 易用性高:不需要复杂的时钟或刷新控制电路,简化了设计过程。
6. 宽电压范围:支持 2.5V 和 3.3V 工作电压,便于与其他设备集成。
7. 可靠性保障:通过严格的测试流程,确保长时间运行的稳定性。
该型号广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化:如 PLC 控制器、人机界面等。
2. 网络通信:路由器、交换机及其他网络设备中的缓存存储。
3. 医疗电子:监护仪、超声波设备中的临时数据存储。
4. 消费类电子产品:打印机、扫描仪、数码相机等需要快速存储功能的产品。
5. 嵌入式系统:作为微控制器系统的外部扩展存储器,用于保存程序代码或中间计算结果。
6. 军事与航天:由于其出色的稳定性和抗干扰能力,可用于一些特殊场合下的关键任务。
IS61WV25616BFBLL-10TLI
IS61WV25616EFLJ-10TLI
CY62256EV30HLL-10G