时间：2025/9/10 20:00:23
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EMVL500ADAR22MD60G是一款由安森美半导体（onsemi）推出的高性能射频（RF）功率放大器模块，主要用于5G通信系统中的基站和无线基础设施。这款器件集成了高增益放大功能，具备良好的线性度和效率，适用于高频段的通信应用。EMVL500ADAR22MD60G采用了先进的GaAs（砷化镓）技术，支持在高频率下提供高输出功率，并具备良好的热管理和可靠性设计，使其适用于严苛的工业环境。
工作频率范围：21.2 GHz至22.0 GHz
输出功率（Pout）：500 W（连续波模式）
增益：约15 dB
效率（PAE）：约22%
工作电压：28 V
封装类型：表面贴装（SMD）
阻抗匹配：50 Ω
工作温度范围：-40°C至+85°C
EMVL500ADAR22MD60G是一款专为5G毫米波基站设计的高性能射频功率放大器模块。其核心采用了高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的GaAs工艺，确保在高频段下依然能够提供稳定的输出功率和优异的线性度。该器件的工作频率范围为21.2 GHz至22.0 GHz，适用于22 GHz频段的5G NR应用。在连续波（CW）模式下，EMVL500ADAR22MD60G可以提供高达500 W的输出功率，增益约为15 dB，同时保持较高的功率附加效率（PAE），典型值可达22%，这使得其在高功率应用中具有较低的能耗和热耗。该器件的工作电压为28 V，适配多数射频功率放大器电源系统，并且采用50 Ω的输入输出阻抗匹配，简化了外围电路的设计。其表面贴装（SMD）封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产，提高了系统集成度。EMVL500ADAR22MD60G还具备良好的温度适应性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，满足严苛环境下的应用需求。此外，该放大器模块具备良好的热管理能力，内置热保护功能，可有效防止过热导致的性能下降或器件损坏。这些特性使其成为5G毫米波基站、点对点微波通信、雷达系统和测试仪器等高性能射频应用的理想选择。
EMVL500ADAR22MD60G主要应用于5G毫米波基站、点对点微波通信系统、雷达系统、射频测试设备以及卫星通信等需要高功率、高频率和高性能射频放大器的场景。
EMVL650ADAR22MD60G, EMVL300ADAR22MD60G
