时间：2025/8/5 13:13:45
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IXKC20N60CC3是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的电力电子应用。该器件基于CoolMOS?技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，适合用于电源转换器、电机控制和LED照明等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.185Ω
栅极电荷（Qg）：45nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
IXKC20N60CC3采用先进的CoolMOS?技术，使其在高电压条件下具有出色的性能。其主要特点包括较低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高效率；此外，它的栅极电荷较低，从而减少了开关损耗，使得该器件在高频应用中表现优异。
该MOSFET还具有较高的热稳定性和可靠性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其TO-247AC封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，IXKC20N60CC3的制造工艺确保了其在不同温度下的稳定电气性能，适用于需要长时间运行的工业设备。
IXKC20N60CC3广泛应用于各种高功率和高频电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和LED照明系统。它在工业自动化设备、电动汽车充电器和太阳能逆变器等应用中也发挥着重要作用。由于其卓越的性能和可靠性，该器件非常适合用于需要高效率和紧凑设计的现代电子系统。
IXFH20N60P、STF20N60DM2、SPW20N60C3
