类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：450V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：80W
　　输入电容（Ciss）：1100pF

EMVE451GTR220MMN0S 具备多项优良特性，首先其采用东芝先进的U-MOS VII工艺技术，使得导通电阻显著降低，从而减少导通损耗，提高整体效率。其次，该MOSFET具有较高的击穿电压（450V），适合用于中高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）和AC-DC适配器。
　　此外，该器件的连续漏极电流可达11A，支持较高的负载能力，在大功率应用中表现出色。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片连接，有助于提升器件在高负载条件下的稳定性与可靠性。
　　EMVE451GTR220MMN0S 还具备良好的热阻特性，工作温度范围宽，可在-55°C至150°C之间稳定运行，适用于严苛的工业和车载环境。其栅极驱动电压范围宽（±30V），提高了在不同控制电路中的兼容性，并增强了抗干扰能力。
　　最后，该MOSFET的输入电容较低（1100pF），有助于减少开关过程中的驱动损耗，提高系统的工作频率和响应速度，特别适合用于高频开关电源和DC-DC变换器中。

EMVE451GTR220MMN0S 广泛应用于各类高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括工业电源、服务器电源、LED驱动器、电池充电器、DC-DC转换器以及电机控制电路。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和电动助力转向系统（EPS）等，得益于其高耐压能力和良好的热稳定性。
　　由于其TO-220封装易于安装和散热管理，该MOSFET也常用于家用电器、工业自动化设备和嵌入式电源系统中。其高效率和低损耗特性使其成为绿色能源系统和高效能电源解决方案的理想选择。

TK22A50K, STF20N45M5, FDPF450