最大峰值反向电压：30V
　　最大平均整流电流：100mA
　　正向压降（@100mA）：最大0.35V
　　反向漏电流（@25°C）：最大100nA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-523

LBAT40LT1G的主要特性之一是其低正向压降，这使得该器件在低电压电路中具有更高的能效。与传统硅二极管相比，肖特基二极管的开关速度更快，从而减少了开关损耗并提高了整体性能。此外，该器件的最大峰值反向电压为30V，能够承受一定的瞬态电压冲击，适合用于多种电源管理应用。
　　该器件的封装形式为SOD-523，属于小型表面贴装封装，非常适合用于空间受限的高密度PCB设计。其最大平均整流电流为100mA，适用于低功率信号整流和电池保护电路。LBAT40LT1G的反向漏电流在常温下不超过100nA，这有助于减少在断电状态下的功耗，提高系统的能效。
　　由于其良好的温度特性，LBAT40LT1G可以在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。该器件的可靠性高，符合RoHS环保标准，适合用于现代电子设备的绿色制造要求。

LBAT40LT1G广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC转换器、电压检测电路以及高频信号整流等领域。其低正向压降和快速恢复时间使其特别适合用于节能型电源管理系统。在电池供电设备中，LBAT40LT1G可用于防止电流反向流动，从而保护电池和电路的安全。此外，该器件也常用于汽车电子系统中的电源整流和稳压电路，确保车辆电子设备在复杂电气环境中的稳定运行。在通信设备中，LBAT40LT1G可用于射频信号的检波和整流，提升信号处理的效率。

BAT54S, BAS40-04W, 1N5819