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2SK1762 发布时间 时间:2025/9/7 18:50:56 查看 阅读:34

2SK1762 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高效率电源转换系统中,如DC-DC转换器、电机驱动器以及开关电源等场合。该器件具有低导通电阻、高耐压、高功率容量等优点,适合高频开关应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(ON)):约0.45Ω(典型值)
  功率耗散(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK1762 MOSFET具有多个优异的电气和物理特性,使其在功率电子领域具有广泛的应用价值。
  首先,其低导通电阻(RDS(ON))能够显著降低导通状态下的功率损耗,提高整体系统的能效。这对于高频率开关应用尤为重要,因为导通损耗是开关电源中的主要损耗来源之一。
  其次,该器件具备较高的耐压能力,最大漏源电压可达100V,适用于多种中高压电源系统设计。同时,其最大栅源电压为±20V,意味着它可以兼容常见的驱动电路设计,如使用12V或15V驱动电压的MOSFET驱动IC。
  此外,2SK1762采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在高功率下稳定运行。该封装形式也便于在PCB上安装和散热片连接,适用于高功率密度的设计需求。
  在可靠性方面,该器件具有较宽的工作温度范围(-55°C至150°C),能够在恶劣环境条件下稳定工作。其高耐温性能使其适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。

应用

2SK1762广泛应用于多个高功率和高频开关系统中。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路、负载开关以及各种功率放大器设计等。
  在开关电源方面,2SK1762因其低导通电阻和良好的高频响应,常用于同步整流电路和主开关电路,以提高电源转换效率并减小体积。在DC-DC转换器中,该器件可作为主功率开关,用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效的电压转换。
  在电机控制和驱动电路中,2SK1762可用于H桥结构,作为高速开关控制元件,提供精确的电机转速和方向控制。此外,在电池管理系统中,它可作为负载开关或充电控制开关,实现高效的能量管理。
  由于其良好的耐压和耐流能力,2SK1762也常用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的高可靠性电源模块设计中。

替代型号

SiHF10N100E, IRF1010N, FDPF10N100, 2SK2545

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