时间：2025/9/9 23:08:23
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EMV-500ADAR33MB55G 是一款高性能射频(RF)放大器模块，专为5G通信系统和其他高频应用而设计。该模块集成了先进的射频技术和高线性度功率放大器，能够提供高增益、低噪声和稳定的输出功率。EMV-500ADAR33MB55G采用了先进的GaAs或GaN半导体工艺，确保在高频段下仍能保持卓越的性能。该模块通常用于无线基站、微波通信、雷达系统和测试设备等关键应用。
频率范围：24 GHz - 40 GHz
输出功率：28 dBm（典型值）
小信号增益：33 dB
噪声系数：3.5 dB
电源电压：5 V 或 12 V（根据设计）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：表面贴装（SMD）
输入/输出阻抗：50 Ω
EMV-500ADAR33MB55G 拥有多项关键特性，适用于高频和高线性度要求的应用场景。首先，其工作频率范围覆盖24 GHz至40 GHz，适合5G毫米波通信、卫星通信和雷达系统等高频应用。该模块的高增益特性（33 dB）可以有效提升信号强度，同时其低噪声系数（3.5 dB）确保在接收端信号的高清晰度和低干扰。此外，EMV-500ADAR33MB55G采用了高线性度设计，使得在高数据速率传输中保持信号完整性，减少失真。该模块还具备良好的热稳定性和可靠性，可在极端温度条件下正常运行，适合工业级和军事级应用。EMV-500ADAR33MB55G采用紧凑的表面贴装封装，便于集成到复杂的射频系统中，同时降低了整体系统的尺寸和重量。此外，其电源设计灵活，支持多种供电方式，适应不同的系统架构需求。
EMV-500ADAR33MB55G 主要应用于5G毫米波基站、微波回传系统、雷达探测与成像、卫星通信、测试与测量设备以及军事通信系统等领域。其高频率、高增益和低噪声特性使其成为高性能射频系统的理想选择。
HMC1131LP5E, ADAR33MB55G, TGA4516-SL
