时间：2025/3/27 11:09:07
阅读：25
STR-F6672是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，从而显著提高了效率并降低了功耗。
STR-F6672具有快速开关特性，能够适应高频工作环境，同时其内置的保护功能（如过流保护和热关断）进一步增强了系统的可靠性与稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：650V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.3Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V～4.5V
总功耗(Ptot)：175W
工作结温范围(Tj)：-55℃～+150℃
1. 极低的导通电阻，在高电流条件下显著降低功耗。
2. 高速开关性能，适合高频电路设计。
3. 内置多重保护机制，包括过流保护(OCP)和热关断(OTSD)，确保器件在异常情况下免受损坏。
4. 紧凑的封装形式，便于PCB布局和散热管理。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于广泛的工业应用领域。
此外，STR-F6672还经过了严格的质量测试，保证了长期使用的稳定性和一致性。
1. 开关电源(SMPS)设计，如适配器、充电器和LED驱动电源。
2. 各类电机驱动控制电路，例如直流无刷电机和步进电机驱动。
3. DC-DC转换器模块，提供高效的电压转换解决方案。
4. 电磁阀和继电器驱动电路，满足工业自动化需求。
5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率开关元件。
由于其出色的电气特性和保护功能，STR-F6672成为众多功率电子应用的理想选择。
STR-F6671, STR-F6673
