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STR-F6672 发布时间 时间:2025/3/27 11:09:07 查看 阅读:9

STR-F6672是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力,从而显著提高了效率并降低了功耗。
  STR-F6672具有快速开关特性,能够适应高频工作环境,同时其内置的保护功能(如过流保护和热关断)进一步增强了系统的可靠性与稳定性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):650V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):0.3Ω
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V~4.5V
  总功耗(Ptot):175W
  工作结温范围(Tj):-55℃~+150℃

特性

1. 极低的导通电阻,在高电流条件下显著降低功耗。
  2. 高速开关性能,适合高频电路设计。
  3. 内置多重保护机制,包括过流保护(OCP)和热关断(OTSD),确保器件在异常情况下免受损坏。
  4. 紧凑的封装形式,便于PCB布局和散热管理。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于广泛的工业应用领域。
  此外,STR-F6672还经过了严格的质量测试,保证了长期使用的稳定性和一致性。

应用

1. 开关电源(SMPS)设计,如适配器、充电器和LED驱动电源。
  2. 各类电机驱动控制电路,例如直流无刷电机和步进电机驱动。
  3. DC-DC转换器模块,提供高效的电压转换解决方案。
  4. 电磁阀和继电器驱动电路,满足工业自动化需求。
  5. 太阳能逆变器及储能系统中的功率开关元件。
  由于其出色的电气特性和保护功能,STR-F6672成为众多功率电子应用的理想选择。

替代型号

STR-F6671, STR-F6673

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