时间：2025/7/16 16:57:38
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EMK325B7475MN-T是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高效率、高频开关场景。该器件采用先进的制造工艺，在降低导通电阻和开关损耗方面表现出色，同时具备优异的热性能和电气稳定性。它适用于工业电源、通信设备、消费电子等多种领域，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，支持大电流输出并能在较宽的工作电压范围内稳定运行。其封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的散热特性和机械强度。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：100nC
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 超低导通电阻（Rds(on)），有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，确保在重负载条件下依然表现稳定。
3. 快速开关特性，适合高频应用场合。
4. 优异的热性能设计，使器件能够在高温环境下长期可靠工作。
5. 封装坚固耐用，便于自动化生产和焊接。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 工业控制设备中的功率转换模块。
4. 充电器、适配器等便携式电子设备的高效功率管理。
5. DC/DC转换器和逆变器的核心组件。
6. 汽车电子系统中的电源管理单元。
IRF7475PbF
FDP068N06L
AON6809
STP40NF06L
