时间：2025/9/13 13:45:09
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AP95T07BGP 是一款由 Diodes 公司（原安森美半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。AP95T07BGP 采用先进的沟槽技术，能够在高电流和高温条件下稳定工作，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统以及各种功率开关电路。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：95A（在 Tc=25℃）
功耗（Pd）：100W
导通电阻（Rds(on)）：7.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
阈值电压（Vgs(th)）：1.4V~2.5V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
AP95T07BGP 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了电流处理能力和热阻性能，从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，AP95T07BGP 的最大漏极电流高达 95A，适用于大功率开关应用。其 TO-252 封装形式具备良好的散热性能，适合在紧凑型电源设计中使用。
在可靠性方面，AP95T07BGP 设计有高雪崩能量耐受能力，确保在瞬态过压情况下仍能安全工作。其栅极氧化层经过优化，提供了良好的栅极稳定性，避免在高 dv/dt 环境下发生误触发。该器件还具备良好的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的导通性能。由于其低输入电容和快速开关特性，AP95T07BGP 在高频开关应用中也表现出色。
AP95T07BGP 主要用于高性能电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统、电源开关电路、负载开关、电机驱动器以及各种工业和消费类电源设备。其高电流能力和低导通损耗使其成为高效能电源设计的理想选择。在服务器电源、电信设备、便携式电子产品和汽车电子系统中，AP95T07BGP 也能发挥重要作用。例如，在同步整流电路中，该器件可以显著提升转换效率；在电池管理系统中，它可作为主开关用于控制电池充放电过程；在电源管理 IC 的外围电路中，它可作为功率开关使用。此外，在高功率密度设计中，该器件的优异热性能有助于减少散热需求，提高整体系统可靠性。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS9435A, AO4406A, IRF7413PBF, IPB095N03L G
