时间：2025/9/3 4:29:46
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XT7328110D 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性。XT7328110D 采用先进的沟槽栅技术，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
XT7328110D MOSFET 的核心特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这使其在大电流应用中具有更低的导通损耗，提高了系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 4.5V 到 20V 的工作电压，适用于多种控制电路设计。
此外，XT7328110D 具备较高的热稳定性和抗过热能力，能够承受较高的工作温度（最高达 175°C），从而提高了在高温环境下的可靠性。其采用的 PowerFLAT 5x6 封装具备良好的热管理和小型化设计，适用于高密度 PCB 布局。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其短路耐受能力和过流保护特性使其在恶劣工况下仍能保持稳定运行。
XT7328110D 主要应用于各种功率电子系统，如同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及负载开关电路。在服务器电源、工业控制设备、电动车充电器和消费类电子产品中均有广泛应用。
由于其优异的导通性能和高频响应特性，该器件也适用于电源管理模块中的同步整流电路，以提高整体能效。同时，其高耐流能力使其成为高性能电机驱动器的理想选择，特别是在需要高功率密度的设计中。
在电动车领域，XT7328110D 可用于车载充电器、电池保护电路以及电机控制单元，满足高可靠性和高效能的严苛要求。
STL7328110D, IPD7328110D, FDMS7610
