时间:2025/12/27 17:07:40
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NSHDR-28V-Z是一款由Onsemi(原ON Semiconductor)推出的高性能、高可靠性半导体器件,主要用于汽车和工业应用中的高温环境。该器件属于耐高温二极管产品系列,专为在极端温度条件下保持稳定电气性能而设计。NSHDR-28V-Z采用先进的硅材料工艺与特殊封装技术,能够在高达+175°C的结温下持续工作,适用于发动机舱内传感器、车载电源系统、混合动力及电动汽车(HEV/EV)控制系统等对热稳定性要求极为严苛的应用场景。该器件具备优异的反向击穿电压稳定性和低漏电流特性,在高温高压环境下仍能提供可靠的整流与保护功能。其主要功能包括电压钳位、瞬态抑制、反向极性保护以及高频整流等。NSHDR-28V-Z符合AEC-Q101汽车级认证标准,确保其在振动、湿度、温度循环等恶劣工况下的长期可靠性。此外,该器件还具有无铅、符合RoHS环保要求的特点,适合现代绿色电子制造流程。通过优化的芯片结构设计,NSHDR-28V-Z实现了更低的正向导通压降(VF),有助于减少功率损耗并提升系统整体效率。
产品类型:高温肖特基二极管
最大重复反向电压(VRRM):28V
平均正向整流电流(IF(AV)):1.5A
峰值正向浪涌电流(IFSM):50A(8.3ms半正弦波)
最大直流阻断电压(VR):28V
最大反向漏电流(IR):10μA(@ VR=25V, TJ=150°C)
最大正向电压降(VF):0.45V(@ IF=1.5A, TJ=175°C)
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
热阻抗(RθJA):150°C/W(典型值,FR-4 PCB)
封装形式:SMA(DO-214AC)表面贴装
符合标准:AEC-Q101、RoHS
NSHDR-28V-Z的核心特性之一是其卓越的高温运行能力,可在高达+175°C的结温下稳定工作,远超传统商用或工业级二极管的+125°C或+150°C限制。这种高温适应性得益于其采用的特殊高温硅芯片工艺与优化的金属化层结构,有效抑制了高温下的电迁移现象和材料退化,从而保证长期可靠性。在高温环境中,该器件仍能维持较低的反向漏电流水平(典型值仅10μA @ 25V, TJ=150°C),显著降低功耗和热失控风险。同时,其正向导通压降在额定电流下仅为0.45V(@1.5A, TJ=175°C),意味着更高的转换效率和更少的能量损失,特别适合用于电池管理系统、DC-DC转换器等对能效敏感的应用。
另一个关键特性是其出色的瞬态响应能力和浪涌承受能力。NSHDR-28V-Z可承受高达50A的峰值浪涌电流(8.3ms半正弦波),使其能够有效应对电源启动、负载突变或雷击感应等引起的瞬态过流事件,提升系统的鲁棒性。该器件的反向击穿电压具有良好的温度稳定性,不会因温度升高而发生显著漂移,确保在各种工况下都能提供一致的保护性能。其SMA封装不仅体积小巧,便于在空间受限的设计中布局,而且具备优良的散热性能和机械强度,适合自动化贴片生产流程。
从可靠性角度看,NSHDR-28V-Z通过了完整的AEC-Q101应力测试认证,涵盖温度循环、高温反偏、高压蒸煮等多项严苛试验,验证了其在汽车级应用中的耐用性。此外,器件内部无铅且符合RoHS指令要求,支持环保制造。其宽泛的工作与存储温度范围(-55°C至+175°C)使其不仅适用于热带地区车辆,也能在寒带极端低温环境下正常启动与运行。综上所述,NSHDR-28V-Z是一款集高温稳定性、高效能、高可靠性和环保合规于一体的先进功率二极管解决方案。
NSHDR-28V-Z广泛应用于对温度和可靠性要求极高的汽车电子系统中,尤其是在发动机控制单元(ECU)、变速器控制模块(TCM)、车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS)以及各类传感器供电电路中发挥重要作用。由于其能在接近发动机本体的高温区域长期稳定运行,常被用于点火系统、燃油喷射驱动电路、电机驱动回路中的续流与箝位保护。在混合动力和纯电动汽车中,该器件可用于DC-DC变换器的输出整流、辅助电源的防反接保护以及高压配电系统的瞬态电压抑制网络。此外,在工业自动化领域,如高温环境下的PLC模块、伺服驱动器、工业传感器接口等,NSHDR-28V-Z也因其出色的热稳定性和抗干扰能力而受到青睐。在航空航天与国防电子中,某些子系统需要在非冷却环境下长时间运行,NSHDR-28V-Z同样可作为理想的高温整流元件使用。其小尺寸SMA封装也使其适用于便携式高温测试设备、井下探测仪器等特种应用场景。总体而言,凡是在高温、高湿、强振动等恶劣环境下需要实现高效整流、反向隔离或瞬态保护的场合,NSHDR-28V-Z都是一个极具竞争力的选择。
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