型号：IRFH5304
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID，TC=25°C）：21A
　　连续漏极电流（ID，TC=100°C）：14A
　　脉冲漏极电流（IDM）：84A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：7.8mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：11mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1V，范围1.6~2.6V
　　输入电容（Ciss）：典型值1300pF @ VDS=20V
　　输出电容（Coss）：典型值370pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间（trr）：典型值19ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值27nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值32ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSON-8 (PG-TSON-8)
　　安装方式：表面贴装
　　功耗（PD）：40W（TC=25°C）

IRFH5304采用英飞凌先进的沟槽场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其在VGS=10V时RDS(on)最大仅为7.8mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，有效降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流应用场景。同时，该器件在较低的栅极驱动电压下仍表现出良好的导通能力，例如在VGS=4.5V时RDS(on)仅为11mΩ，使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，提升了系统设计的灵活性。
　　该MOSFET具有非常低的栅极电荷（Qg典型值为27nC），这直接减少了开关过程中所需的驱动能量，从而降低了开关损耗，提高了高频工作的效率。配合较低的输出电容（Coss=370pF）和输入电容（Ciss=1300pF），使得器件在硬开关和软开关拓扑中均能实现快速响应和高效运行。这对于诸如同步整流、降压变换器等高频DC-DC转换器尤为重要，有助于提高电源系统的整体能效并减小外围元件尺寸。
　　IRFH5304还具备出色的热性能，得益于其TSON-8封装的低热阻设计（RthJC ≈ 2.5°C/W），能够将芯片产生的热量高效传递至PCB，避免局部过热导致的性能下降或失效。其最大工作结温可达+150°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力，能够在电压瞬变或感性负载突变情况下承受一定的能量冲击，增强系统鲁棒性。
　　该器件的栅极氧化层经过严格工艺控制，可承受±20V的栅源电压，提供了更高的驱动安全裕度。同时，TSON-8封装不仅节省空间，还通过底部裸露焊盘增强散热能力，非常适合高密度、高性能的电源模块设计。整体而言，IRFH5304是一款集低导通损耗、快速开关、高可靠性与紧凑封装于一体的理想功率MOSFET解决方案。

IRFH5304广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。其主要应用领域包括同步整流型DC-DC降压变换器，特别是在多相电压调节模块（VRM）中作为上下管使用，能够显著降低导通损耗并提升转换效率。在负载开关应用中，该器件凭借低RDS(on)和高电流承载能力，可用于控制电源路径，实现对子系统的上电/断电管理，常见于笔记本电脑、平板电脑和嵌入式系统中。
　　此外，IRFH5304也适用于电机驱动电路，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为开关元件提供精确的电流控制。其快速的开关特性有助于减少换向过程中的能量损耗，提升驱动效率。在电池供电设备中，如移动电源、无人机和电动工具，该MOSFET可用于电池保护电路或充放电控制模块，确保系统安全可靠运行。
　　通信基础设施中的电源模块也是IRFH5304的重要应用方向，例如在基站、路由器和交换机的中间总线转换器（IBC）或负载点电源（POL）中发挥关键作用。其小型化封装适应高密度布局需求，而良好的热性能保证了长时间运行的稳定性。工业自动化控制系统、PLC模块、传感器供电单元等对可靠性和效率要求较高的场合，同样可以采用IRFH5304来实现高效的电源管理。总之，凡是需要40V以内、中高电流、高效率功率开关的场景，IRFH5304都是一个极具竞争力的选择。

IRLH5304
　　FDMC7612
　　AOZ5237EQI