时间：2025/12/25 5:16:10
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EPC1064LI20 是一款由 Efficient Power Conversion（EPC）公司制造的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），专门用于高效率、高频功率转换应用。该器件采用了先进的增强型氮化镓技术，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适用于多种高性能电源系统。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏极-源极电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：25A
导通电阻（RDS(on)）：5.2mΩ
栅极电荷（QG）：11nC
反向恢复电荷（QRR）：0nC
封装类型：Chip-scale package (CSP)
工作温度范围：-55°C 至 150°C
EPC1064LI20 采用先进的氮化镓技术，具备卓越的电气性能和热管理能力。其增强型结构确保在正常工作条件下能够实现零静态功耗，同时提供出色的导通和开关性能。该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其极低的栅极电荷和反向恢复电荷，使得在高频开关应用中能够显著减少开关损耗，提高整体系统性能。由于其采用无引线的芯片级封装，EPC1064LI20 具有较小的寄生电感，从而进一步提升开关速度和效率。该器件还具有优异的热传导性能，能够在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。
EPC1064LI20 特别适用于需要高效率和高功率密度的场合，如DC-DC转换器、同步整流器、负载点电源（POL）和电机驱动系统。其高频操作能力使其在设计紧凑型电源系统时成为理想选择。此外，该器件的可靠性经过严格测试，符合工业级应用标准，适用于各种苛刻环境下的长期稳定运行。
EPC1064LI20 主要用于高频功率转换系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及高效能电机控制电路。其优异的性能使其成为替代传统硅基MOSFET的理想选择，尤其是在需要高效率和高功率密度的应用中。
EPC2055、EPC2023、GS61004B、LMG5200
