类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压：65V
　　最大连续漏极电流：18A
　　输出功率：125W @ 2.7GHz
　　频率范围：DC至3GHz
　　增益：约20dB @ 2.7GHz
　　效率：约65% @ 2.7GHz
　　封装类型：表面贴装（SMT），法兰封装
　　热阻（Rth）：约0.35°C/W
　　输入阻抗：50Ω

QM18145TR13 具有多个突出的技术特性，使其在高功率射频应用中表现出色。首先，其高输出功率能力（125W）使其适用于需要高功率放大的系统，尤其是在2.7GHz左右的高频段。其次，该器件在高频下仍能保持较高的增益（约20dB）和效率（约65%），这对于提高系统的整体能效至关重要。
　　此外，该MOSFET采用了先进的硅基工艺制造，具有良好的线性度和稳定性，能够满足复杂调制信号的放大需求。其50Ω的输入阻抗设计也便于与标准射频电路进行匹配，从而简化了电路设计并降低了匹配网络的复杂性。
　　该器件的封装设计采用了高性能的表面贴装法兰封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够有效降低热阻（约0.35°C/W），从而提升器件在高功率工作条件下的可靠性与寿命。这种封装方式也便于自动化生产和散热器的安装，适用于高密度、高可靠性的射频系统设计。
　　最后，QM18145TR13 还具有良好的抗失真能力和抗过载能力，能够承受一定程度的失配和瞬态过载，这在实际应用中对于提高系统的鲁棒性和稳定性具有重要意义。

QM18145TR13 主要应用于需要高功率、高频率性能的射频系统中。典型应用包括蜂窝通信基站（如4G LTE和5G NR基站）的射频功率放大器模块、雷达系统中的发射链路放大器、工业加热设备中的射频能量发生器、以及射频测试设备中的信号放大单元。此外，该器件也适用于宽带通信系统、卫星通信地面站、以及各种需要在2.7GHz附近频段进行高功率放大的应用场景。

QM18145TR13 的替代型号包括：CREE（Wolfspeed）的CGH40120、NXP的MRFE6VP61K25H、以及STMicroelectronics的STAC30A。这些器件在某些性能参数或应用场景中可作为替代选择，但具体是否适用需根据实际电路设计和系统需求进行评估。