电容：10μF
　　容差：±10%
　　额定电压：10V
　　温度特性：X7R（-55°C至+125°C）
　　封装尺寸：0603（1.6mm x 0.8mm）
　　电介质材料：BaTiO3基（X7R）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　直流偏压特性：在10V偏压下，电容值下降约40%-60%（典型）
　　ESR（等效串联电阻）：低，典型值小于10mΩ（频率相关）
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频应用
　　老化率：≤2.5%每十年（X7R典型）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　产品等级：工业级
　　包装形式：卷带（Tape and Reel）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（无限暴露时间）

X7R是一种稳定的铁电陶瓷材料，具备良好的温度稳定性和较高的体积效率。EMK316AB7106KLHT所采用的X7R介电体系基于钛酸钡（BaTiO3）配方，并通过添加多种改性氧化物来改善其温度响应特性。在-55°C到+125°C的宽温度范围内，其电容变化率不超过±15%，优于Z5U或Y5V等普通铁电材料，因此适用于需要一定稳定性但又追求高容量的小型化设计。尽管X7R电容器的容值会随施加的直流偏压显著下降——例如本器件在额定10V电压下实际可用容量可能仅为初始值的40%~60%——但在多数电源去耦场景中仍能提供足够的有效储能。
　　该器件采用先进的叠层制造工艺，内部由数十至上百层交替的镍内电极与陶瓷介质构成，实现高电容密度的同时保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而在高频下仍具有优异的阻抗表现。这种结构使其非常适合用于开关电源输出端的滤波电路，能够有效抑制高频噪声并平滑输出电压波动。
　　EMK316AB7106KLHT的0603封装尺寸（1.6×0.8mm）代表了当前主流的小型化趋势，在保证可制造性的前提下最大限度节省PCB空间。此外，其端电极采用三层电镀结构（铜-镍-锡），增强了焊接可靠性和抗机械应力能力，防止因热循环或板弯导致的裂纹失效。该器件通过AEC-Q200认证的部分测试项目，虽非车规专用，但仍可在较严苛的工业环境中稳定运行。
　　值得注意的是，由于其高介电常数材料的非线性特性，该电容器的交流信号响应存在轻微失真，不适合用作精密模拟信号路径中的耦合电容。然而，在数字电源系统中，它凭借低成本、小体积和良好高频性能成为去耦网络的重要组成部分。制造商建议在布局时尽量靠近IC电源引脚放置，以最小化走线电感，充分发挥其瞬态响应优势。

EMK316AB7106KLHT主要用于各类电子设备中的去耦和旁路应用。在现代高密度印刷电路板设计中，尤其是在移动设备如智能手机和平板电脑中，处理器、GPU、内存模块等高速数字芯片在切换过程中会产生快速变化的电流需求，这会导致电源线上出现电压波动和噪声。使用该电容器可以在这些瞬态事件发生时迅速提供局部能量，维持电源轨的稳定。由于其10μF的大容量和0603的小尺寸，能够在有限的空间内实现高效的低频滤波，弥补小容量陶瓷电容（如0.1μF）在低频段阻抗较高的不足，形成多层次去耦网络。
　　在DC-DC转换器和LDO稳压电路中，该器件常被用作输入和输出滤波电容。虽然其不具备电解电容那样的极高容量，但由于无极性、低ESR和长寿命特性，已成为取代传统铝电解或钽电容的理想选择之一。特别是在轻载或中等负载条件下，多个此类MLCC并联即可达到所需的滤波效果，同时避免了电解电容可能出现的漏液、极性接反等问题。
　　此外，该电容器也广泛应用于便携式医疗设备、可穿戴设备、物联网传感器节点、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、5G射频前端）等对空间和可靠性要求较高的领域。在这些应用中，稳定的电容性能和良好的温度适应性确保了系统在整个生命周期内的正常运行。由于其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代绿色电子产品设计的要求。对于工程师而言，在进行电源完整性设计时，合理配置包括EMK316AB7106KLHT在内的多值、多位置去耦电容组合，是提升系统电磁兼容性和整体稳定性的重要手段。

GRM188R71A106KA12D
　　C1608X7R1A106K080AE
　　CL10A106KP8NQNC
　　LCML1608S106MAVN