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AON3414 发布时间 时间:2025/6/24 0:07:34 查看 阅读:4

AON3414是Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于功率转换、负载开关、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景中。其封装形式为SOT-23,适用于空间受限的设计。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):2.9A
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):3nC
  总功耗(Ptot):440mW
  工作结温范围(Tj):-55°C至+150°C

特性

AON3414是一款高效的N沟道MOSFET,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 小尺寸SOT-23封装,非常适合便携式设备和其他对PCB空间要求严格的场合。
  3. 快速开关性能,能够有效减少开关损耗。
  4. 高可靠性设计,确保在各种严苛环境下稳定运行。
  5. 支持宽范围的工作温度区间,适应多种应用场景需求。

应用

AON3414主要应用于以下几个领域:
  1. 消费类电子产品中的负载开关。
  2. 移动电源、充电器等便携式设备的功率转换电路。
  3. 电信及网络设备中的DC-DC转换器。
  4. 工业控制系统的电源管理模块。
  5. 各种需要高效功率管理的嵌入式系统设计。

替代型号

AO3400
  AO3401
  IRLML6402
  FDMT6702

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AON3414参数

  • 现有数量10,295现货
  • 价格1 : ¥3.50000剪切带(CT)3,000 : ¥1.00545卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)17 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)690 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(3x3)
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线