时间：2025/12/27 10:23:27
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EMK212F474ZD-T是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于高性能、高稳定性的表面贴装器件，广泛应用于各类电子设备中。该型号电容器采用X7R介电材料，具备良好的温度稳定性与电容保持率，在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容值变化不超过±15%。其标称电容值为470nF（即474表示47×10^4 pF），额定电压为25V DC，适用于中等电压、中等容量需求的去耦、滤波和旁路应用。该器件封装尺寸为0805（公制2012），符合行业标准，便于自动化贴片生产。EMK212F474ZD-T采用镍阻挡层端子结构（Ni-barrier termination），增强了抗硫化能力，提升了在恶劣环境下的可靠性，适合工业控制、汽车电子和通信设备等对长期稳定性要求较高的应用场景。此外，该产品符合RoHS环保标准，无铅且兼容无铅焊接工艺，支持回流焊和波峰焊等多种装配方式。由于其优异的电气性能和机械强度，EMK212F474ZD-T被广泛用于电源管理模块、DC-DC转换器、信号调理电路以及高频数字系统中的噪声抑制电路中。
电容值：470nF
容差：±10%
额定电压：25V DC
温度特性：X7R（-55°C ~ +125°C, ΔC/C ≤ ±15%）
封装尺寸：0805（2.0mm × 1.2mm）
介质材料：X7R陶瓷
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
厚度：约1.2mm
端接类型：Ni-barrier（抗硫化）
安装类型：表面贴装（SMD）
老化率：典型值为<2.5% / decade hour
直流偏压特性：在25V下电容下降约30%-40%（典型）
EMK212F474ZD-T采用先进的多层陶瓷制造工艺，确保了器件在各种工作条件下的高可靠性和稳定性。其X7R介电材料具有优异的温度稳定性，在整个工作温度范围内电容值的变化控制在±15%以内，这使其非常适合用于需要稳定电容值的定时、滤波和耦合电路中。相比Y5V等材料，X7R在温度变化时表现出更小的电容漂移，从而提高了系统的整体性能一致性。
该电容器的25V额定电压适用于大多数中低压电源轨去耦应用，例如微处理器供电引脚的旁路电容、DC-DC变换器输入输出滤波等。虽然实际可用电容会因直流偏压效应而有所下降（在接近额定电压时可能降至标称值的60%左右），但其仍能提供足够的储能和高频响应能力以满足去耦需求。
EMK212F474ZD-T采用镍阻挡层端子设计，有效防止银离子迁移和硫化腐蚀，显著提升在高湿、高硫环境下的长期可靠性，特别适用于工业现场设备和汽车电子等严苛应用场合。这种结构增强了焊点的机械强度和耐热冲击性能，支持多次回流焊过程而不影响电气特性。
其0805封装尺寸在体积与可制造性之间实现了良好平衡，既节省PCB空间，又便于自动化贴片和视觉检测。该器件具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于在高频下实现高效的噪声旁路和能量存储功能，尤其适合开关电源环境中使用。
此外，该产品符合AEC-Q200汽车级认证标准的部分要求（视具体批次而定），并满足无卤素和RoHS指令，适用于绿色电子产品设计。制造过程中采用严格的良品控制流程，确保批次间的一致性和低失效率。
EMK212F474ZD-T广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要稳定电容值和较高可靠性的场合。常见用途包括电源去耦，例如在微控制器、FPGA、ASIC等数字IC的电源引脚附近作为旁路电容，用于吸收瞬态电流波动并抑制高频噪声，保障供电质量。
在DC-DC转换器电路中，它可用于输入滤波以平滑母线电压波动，也可作为输出滤波电容的一部分，帮助降低纹波电压。尽管单个MLCC的电容值有限，但通过并联多个同类或不同容值的电容，可以构建宽频段滤波网络，提升整体滤波效果。
该器件也常用于模拟信号链中的耦合与滤波电路，如音频放大器、传感器接口电路中，用于隔直通交或构成RC低通/高通滤波器。其稳定的温度特性保证了信号处理精度不受环境温度剧烈变化的影响。
在工业控制设备中，如PLC模块、HMI面板、电机驱动器等，EMK212F474ZD-T用于增强抗干扰能力和系统稳定性。同时，得益于其抗硫化设计，该电容器也被推荐用于户外设备、汽车电子（如车身控制模块、车载信息娱乐系统）等可能存在硫化污染风险的环境中。
此外，在通信基础设施设备（如基站、光模块、路由器）中，该电容用于局部电源稳压和射频电路的偏置网络滤波，发挥其高频响应快、体积小的优势。
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"GRM21BR71E474KA01L",
"C2012X7R1E474K125AE",
"CL21A474KAQNNNE",
"TC321B474MAT-H",
"MCN212X7R1E474K"
]
