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EMK212AB7225KD-T 发布时间 时间:2025/7/1 1:08:21 查看 阅读:7

EMK212AB7225KD-T 是一款由东芝(Toshiba)推出的高效能 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用 TO-263-3 封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,能够显著提高系统效率并降低能耗。
  该功率 MOSFET 的设计使其非常适合需要高电流处理能力和高频开关的应用环境。其耐压能力达到 700V,同时具备较低的导通电阻,从而在高电压条件下也能保持高效的性能表现。

参数

型号:EMK212AB7225KD-T
  制造商:东芝(Toshiba)
  类型:N 沟道功率 MOSFET
  封装:TO-263-3
  最大漏源极电压(VDS):700V
  最大栅源极电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):2.9A
  导通电阻(RDS(on)):1.8Ω(在 VGS=10V 时)
  总功耗(Ptot):32W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

EMK212AB7225KD-T 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压:高达 700V 的漏源极电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻:在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 1.8Ω,有助于减少导通损耗。
  3. 快速开关速度:具备优异的开关性能,适用于高频应用。
  4. 小型化封装:TO-263-3 封装不仅节省空间,还提供良好的散热性能。
  5. 高可靠性:经过严格的质量控制和测试流程,确保在各种工况下的可靠性和耐用性。
  6. 宽温工作范围:能够在 -55°C 至 +150°C 的极端温度范围内正常工作,适应多种环境需求。

应用

这款 MOSFET 器件适合以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载开关
  5. 逆变器
  6. 电池保护电路
  7. 工业自动化设备中的高压切换
  8. LED 驱动器中的功率管理
  由于其高电压耐受能力和低导通电阻,该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。

替代型号

EMK212AB7225KD-TL, EMK212AB7225KD

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EMK212AB7225KD-T参数

  • 现有数量0现货
  • 价格4,000 : ¥0.35169卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容2.2 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-