EMK212AB7225KD-T 是一款由东芝(Toshiba)推出的高效能 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用 TO-263-3 封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,能够显著提高系统效率并降低能耗。
该功率 MOSFET 的设计使其非常适合需要高电流处理能力和高频开关的应用环境。其耐压能力达到 700V,同时具备较低的导通电阻,从而在高电压条件下也能保持高效的性能表现。
型号:EMK212AB7225KD-T
制造商:东芝(Toshiba)
类型:N 沟道功率 MOSFET
封装:TO-263-3
最大漏源极电压(VDS):700V
最大栅源极电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):2.9A
导通电阻(RDS(on)):1.8Ω(在 VGS=10V 时)
总功耗(Ptot):32W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
EMK212AB7225KD-T 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:高达 700V 的漏源极电压,确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻:在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 1.8Ω,有助于减少导通损耗。
3. 快速开关速度:具备优异的开关性能,适用于高频应用。
4. 小型化封装:TO-263-3 封装不仅节省空间,还提供良好的散热性能。
5. 高可靠性:经过严格的质量控制和测试流程,确保在各种工况下的可靠性和耐用性。
6. 宽温工作范围:能够在 -55°C 至 +150°C 的极端温度范围内正常工作,适应多种环境需求。
这款 MOSFET 器件适合以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 逆变器
6. 电池保护电路
7. 工业自动化设备中的高压切换
8. LED 驱动器中的功率管理
由于其高电压耐受能力和低导通电阻,该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
EMK212AB7225KD-TL, EMK212AB7225KD