时间：2025/7/1 1:08:21
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EMK212AB7225KD-T 是一款由东芝（Toshiba）推出的高效能 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用 TO-263-3 封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，能够显著提高系统效率并降低能耗。
该功率 MOSFET 的设计使其非常适合需要高电流处理能力和高频开关的应用环境。其耐压能力达到 700V，同时具备较低的导通电阻，从而在高电压条件下也能保持高效的性能表现。
型号：EMK212AB7225KD-T
制造商：东芝（Toshiba）
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：TO-263-3
最大漏源极电压（VDS）：700V
最大栅源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：2.9A
导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω（在 VGS=10V 时）
总功耗（Ptot）：32W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
EMK212AB7225KD-T 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：高达 700V 的漏源极电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 1.8Ω，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关速度：具备优异的开关性能，适用于高频应用。
4. 小型化封装：TO-263-3 封装不仅节省空间，还提供良好的散热性能。
5. 高可靠性：经过严格的质量控制和测试流程，确保在各种工况下的可靠性和耐用性。
6. 宽温工作范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的极端温度范围内正常工作，适应多种环境需求。
这款 MOSFET 器件适合以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 逆变器
6. 电池保护电路
7. 工业自动化设备中的高压切换
8. LED 驱动器中的功率管理
由于其高电压耐受能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
EMK212AB7225KD-TL, EMK212AB7225KD
