容量：32Gb
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　工作电压：1.1V（核心电压VDD）/1.8V（I/O电压VDDQ）
　　时钟频率：最高支持1600MHz
　　数据速率：3200Mbps
　　数据总线宽度：32位
　　封装尺寸：130-ball FBGA
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装工艺：PoP（Package on Package）兼容设计
　　制造工艺：先进的DRAM制程技术

H9TP32A4GDMCPR_KDM 具备多项先进的技术特性，以满足高性能和低功耗的应用需求。首先，它采用了LPDDR4标准，相比前代LPDDR3在功耗上有了显著降低，适用于对电池寿命要求较高的移动设备。其工作电压分别为1.1V的核心电压和1.8V的I/O电压，进一步优化了能耗效率。
　　该芯片支持高达3200Mbps的数据传输速率，结合其32位的数据总线宽度，可提供高达25.6GB/s的带宽，满足高分辨率显示、高性能计算和多任务处理的需求。此外，H9TP32A4GDMCPR_KDM 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power Down）、自刷新模式（Self-Refresh）和预充电功率下降模式（Precharge Power-Down），有效延长设备续航时间。
　　在封装方面，该芯片采用130-ball FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于高密度系统设计。同时，它支持PoP（Package on Package）堆叠技术，便于与应用处理器进行垂直集成，节省PCB空间并提升系统集成度。
　　该DRAM芯片还具备良好的温度适应能力，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境下的电子设备。

H9TP32A4GDMCPR_KDM 主要应用于对性能和功耗要求较高的移动设备，如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及便携式游戏设备。其高带宽和低功耗特性使其非常适合处理图形密集型应用、4K视频播放、多任务操作系统以及AI加速功能。
　　此外，该芯片也可用于嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）及智能摄像头等需要高性能内存支持的场景。由于其支持PoP封装技术，因此广泛用于与应用处理器（如ARM架构的SoC）集成的主板设计中，适用于如高通骁龙系列、联发科天玑系列、三星Exynos系列等高端移动处理器平台。
　　在服务器和数据中心领域，尽管该芯片主要用于移动平台，但在某些边缘计算设备或小型嵌入式服务器中也可作为高速缓存使用。

H9TP32A4GDMCPR_KLM
　　H9TP64A4GDMCPR_KDM
　　MT53D512M32A2B4-046A
　　H9TP32A8JDACPR_KDM