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NJV4031NT3G 发布时间 时间:2025/8/2 6:29:45 查看 阅读:36

NJV4031NT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的 Trench MOS 技术,提供了卓越的导通性能和热稳定性。NJV4031NT3G 采用 TSOP(Thin Small Outline Package)封装,适用于空间受限的电路设计,如电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.0A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ @ Vgs=10V, 4.0A
  功率耗散(Pd):1.4W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:8
  阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.5V @ Id=250μA
  输入电容(Ciss):420pF @ Vds=15V
  反向传输电容(Crss):90pF @ Vds=15V

特性

NJV4031NT3G MOSFET 具备低导通电阻特性,使得其在高电流应用中具有更低的功率损耗,从而提高整体系统效率。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺,优化了导通和开关性能。同时,其较低的栅极电荷(Qg)确保了快速的开关响应,减少了开关过程中的能量损耗。
  此外,NJV4031NT3G 具备较高的热稳定性和可靠性,适合在恶劣的工业环境中使用。其 TSOP 封装形式具有较小的体积,便于在高密度 PCB 设计中使用,同时提供良好的散热性能。
  该 MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持 1.8V 至 20V 的输入,兼容多种控制器和逻辑电平驱动电路。其阈值电压范围适中,确保在不同负载条件下仍能稳定工作。
  在保护特性方面,NJV4031NT3G 内置一定的过温保护能力,但建议在高功率设计中配合外部保护电路使用,以确保长期工作的稳定性。该器件符合 RoHS 环保标准,适用于环保型电子产品设计。

应用

NJV4031NT3G 广泛应用于各种功率电子系统中,包括电源适配器、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、便携式设备电源管理模块以及工业自动化控制系统等。
  在电源适配器和充电器设计中,该 MOSFET 可作为主开关器件,实现高效率的能量转换。在 DC-DC 转换器中,NJV4031NT3G 可用于同步整流或高频开关,提升转换效率并减少热量产生。
  由于其低导通电阻和快速开关特性,该器件也常用于负载开关电路,实现对负载的精确控制和快速响应。在电池管理系统中,NJV4031NT3G 可用于充放电控制,提供高效的能量管理。
  此外,NJV4031NT3G 还可用于电机驱动、LED 照明调光电路以及智能电表等应用场景,提供稳定的功率控制性能。

替代型号

Si4435BDY-T1-GE3, FDS6680, TPS2R200B-Q1, NVTFS5C471NLWFTAG, FDMS86180

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NJV4031NT3G参数

  • 现有数量3,990现货
  • 价格1 : ¥5.17000剪切带(CT)4,000 : ¥1.83124卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)40 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 1A,1V
  • 功率 - 最大值2 W
  • 频率 - 跃迁215MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装SOT-223(TO-261)