时间：2025/9/2 9:07:08
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HY27UV08BG5M-TPCB是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的NAND闪存芯片，属于中小容量存储器产品系列。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品以及需要非易失性存储的场景。HY27UV08BG5M-TPCB采用8位并行接口设计，提供较高的数据读写速度和良好的稳定性。该芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于对空间和功耗有一定要求的电子设备。
存储类型：NAND Flash
容量：128MB
电压范围：2.7V - 3.6V
接口类型：8位并行接口
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
擦写周期：10万次
数据保持时间：10年
HY27UV08BG5M-TPCB具有多个显著的性能特点。首先，它采用了NAND闪存技术，具有较高的存储密度和较低的成本，适用于大容量数据存储。其128MB的存储容量在早期嵌入式系统和小型设备中已经能够满足大部分需求。该芯片支持2.7V至3.6V的宽电压范围，增强了其在不同电源环境下的适用性。
该芯片使用8位并行接口，与传统的串行接口相比，可以实现更高的数据传输速率，适用于需要快速读写操作的应用场景。TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，还提高了其在高振动和冲击环境下的可靠性。
此外，HY27UV08BG5M-TPCB的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种恶劣的工业环境。其擦写周期可达10万次，确保了长期使用的稳定性和耐用性。数据保持时间长达10年，即使在断电情况下也能可靠保存数据。
HY27UV08BG5M-TPCB广泛应用于多个领域。在工业控制领域，它常用于存储设备固件、配置数据和操作日志。在消费电子产品中，该芯片可用于早期的MP3播放器、数码相机和便携式游戏机等设备。此外，它还适用于网络设备、通信模块和汽车电子系统中的非易失性存储需求。
由于其并行接口和相对较低的容量，HY27UV08BG5M-TPCB更适用于对存储速度要求较高但容量需求不大的应用场景。例如，在工业自动化设备中，该芯片可用于存储程序代码和关键数据，以确保设备在断电后仍能保持重要信息。
K9F1208U0B-PCB0, TC58NVG2S0HFT00
