时间：2025/7/10 4:28:43
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EMF325B7105KNHT 是一款基于硅基材料的高性能功率MOSFET，主要用于高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，在保持低导通电阻的同时，具有优异的开关性能和热稳定性，适用于各种工业及消费电子领域。
型号：EMF325B7105KNHT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：4.2Ω（在Vgs=10V时）
输入电容(Ciss)：280pF
输出电容(Coss)：12pF
开关时间：开启时间(t_on)=65ns，关闭时间(t_off)=32ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
EMF325B7105KNHT具备高击穿电压、低导通电阻以及快速开关速度等优点。
其高耐压能力使其适合应用于高压环境，同时较低的Rds(on)有效减少了传导损耗，提升了效率。器件封装采用了优化设计，能够实现更好的散热性能。此外，该产品还具有稳定的动态参数表现，可以承受较高的dv/dt冲击，从而确保在高频开关条件下运行更加可靠。
它还提供优异的雪崩能力和短路保护功能，这使得它在异常情况下也能保证系统的安全性。
EMF325B7105KNHT广泛应用于各类电源管理解决方案中，包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、太阳能逆变器以及LED照明系统。
凭借其高电压处理能力和高效的开关特性，这款MOSFET非常适合用于要求高效率和高可靠性的工业设备，如不间断电源(UPS)、电动工具以及电动汽车充电模块等场景。
EMF325B7105KNHTR,
IRF840,
FQP17N60,
STP5NK70Z
