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W632GG8MB12I TR 发布时间 时间:2025/8/20 13:51:28 查看 阅读:2

W632GG8MB12I TR是一款由Winbond公司生产的高性能、低功耗的伪静态随机存取存储器(Pseudo SRAM)芯片。该器件采用先进的制造工艺,具有较大的存储容量和较快的访问速度,适用于需要高效数据存储和快速存取的应用场景。W632GG8MB12I TR的封装形式为TSOP,适用于工业级温度范围,可在-40°C至+85°C环境下稳定工作。

参数

容量:256Mbit
  组织结构:32M x 8
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据保持电压:最小2V
  待机电流:最大10mA
  工作电流:最大160mA

特性

W632GG8MB12I TR具备多项优良特性,使其在嵌入式系统和工业控制应用中表现出色。首先,该芯片具有低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,适合对功耗敏感的设计。其次,其高速访问时间(10ns)确保了数据处理的高效性,使得系统响应更快、性能更优。
  此外,W632GG8MB12I TR采用伪SRAM架构,结合了SRAM的易用性和DRAM的高密度优势,提供类似于SRAM的接口,无需复杂的刷新逻辑,简化了系统设计。其支持异步操作,兼容多种微处理器和控制器,提高了设计的灵活性。

应用

W632GG8MB12I TR广泛应用于各类嵌入式系统和工业设备中。例如,在工业控制和自动化系统中,该芯片用于存储程序代码、临时数据和缓冲信息,确保系统运行的稳定性和响应速度。在网络设备和通信模块中,W632GG8MB12I TR作为高速缓存使用,提高数据处理效率,降低延迟。
  该芯片也常用于智能仪表、医疗设备、测试仪器等要求高可靠性和低功耗的领域。此外,其兼容性强的特点使其适用于多种微控制器(MCU)和数字信号处理器(DSP)平台,为设计人员提供更大的灵活性和可扩展性。
  由于其TSOP封装形式,W632GG8MB12I TR也非常适合空间受限的应用,例如便携式电子设备和边缘计算节点。在物联网(IoT)设备中,该芯片可用于存储传感器数据、配置信息和临时运行数据,满足实时数据处理需求。

替代型号

W632GG8MB12E5、W632GG8MB15I TR、W632GG8MB15E5、IS66WVH256M8FFBLL

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W632GG8MB12I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)