EMF21P02V 时间：2025/8/5 5:56:01 阅读：22

EMF21P02V 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　漏极电流（Id）：4.9A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：19mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23F

特性

EMF21P02V 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得器件在高电流条件下能够保持较低的功耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET采用了小型SOT-23F封装，适用于空间受限的设计，同时保持良好的散热性能。
　　另一个关键特性是其高栅极电压容限，支持±12V的栅源电压，这为设计者提供了更大的灵活性，并提高了器件在高噪声环境下的稳定性。该器件的沟槽式结构设计也优化了开关性能，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　EMF21P02V 还具备出色的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的工作状态，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用环境。此外，其快速的开关速度也使得该器件在电源转换应用中表现出色。

应用

EMF21P02V 主要用于需要高效功率管理的电子系统中，例如便携式电子产品中的DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及小型电机驱动器。在消费类电子设备中，该MOSFET可以用于电源管理模块，实现高效的能量传输和分配。
　　在工业控制领域，EMF21P02V 可用于小型电机控制、传感器供电以及可编程逻辑控制器（PLC）中的开关电路。此外，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和LED照明驱动电路。
　　由于其高频率特性和低导通电阻，EMF21P02V 也适用于无线充电系统、功率放大器和小型逆变器等应用。在这些应用中，器件的快速开关能力和低功耗特性有助于提高整体系统效率。