时间：2025/7/12 19:32:08
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EMF212AB7475MGHT是一款高性能的功率MOSFET器件，主要应用于高效率、高频开关电源和电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能。其封装形式为TO-220，能够有效散热并支持较高的电流负载。
型号：EMF212AB7475MGHT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：750V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：12A
导通电阻Rds(on)：0.18Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗Ptot：180W
工作温度范围Tj：-55℃至+175℃
封装：TO-220
EMF212AB7475MGHT具备以下特点：
1. 高耐压能力，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，适合高频电路设计。
4. 良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
5. 高电流承载能力，满足大功率设备的需求。
6. 封装形式坚固耐用，易于安装和使用。
这些特性使得该器件在开关电源、逆变器、电机驱动等领域表现出色。
EMF212AB7475MGHT广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和充电器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 电动工具和家用电器中的功率管理模块。
5. 各种需要高压、高频切换的应用场景。
由于其优异的性能和稳定性，这款MOSFET成为了许多高要求应用的理想选择。
IRFP460, STP75NF75, FQP17N75
