类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

KF6N60D-RTF/HS 具备一系列优良的电气特性和可靠性设计，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该 MOSFET 的漏源耐压（Vds）为 600V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的开关电源系统。其栅源电压容限为 ±30V，确保在不同驱动条件下器件的安全运行。
　　其次，该器件的导通电阻较低，在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 通常小于 2Ω。较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。连续漏极电流为 6A，适合中等电流负载的应用，如电机驱动、电池管理系统和功率因数校正电路等。
　　此外，KF6N60D-RTF/HS 采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装技术（SMT），便于在 PCB 上安装和自动化生产。该封装形式还具备较好的热阻特性，有助于在高负载条件下维持器件的稳定运行。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有广泛的环境适应能力，适合在工业级应用中使用。同时，其存储温度范围也较宽，确保在不同存储和运输条件下不会影响器件性能。
　　总体而言，KF6N60D-RTF/HS 是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的功率 MOSFET，适合用于多种功率电子系统中。

KF6N60D-RTF/HS 主要用于各种中高功率电子设备中，作为开关元件使用。常见应用包括 AC-DC 和 DC-DC 开关电源、LED 照明驱动器、电池管理系统、电机控制电路、功率因数校正（PFC）模块以及工业自动化设备中的电源模块。其高耐压和较低导通电阻的特性使其成为电源转换系统中的理想选择。

KSD952, 2SK2545, IRF840, FQA6N60C, 6N60C