时间：2025/7/12 19:30:10
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EMF107B7473KAHT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用 N 沟道技术，能够提供低导通电阻和快速开关性能。其封装形式为 TO-263，适合表面贴装工艺。
该型号具有出色的热稳定性和耐用性，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。此外，它还具备过流保护和短路保护功能，从而提高了整体系统的安全性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：40nC
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
EMF107B7473KAHT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适合开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 强大的散热性能，即使在高温环境下也能保持稳定运行。
4. 小型化封装设计，有助于节省 PCB 空间。
5. 内置保护机制，增强产品的安全性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足国际环保要求。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动工具中的电机控制
3. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统
4. 工业自动化设备中的功率调节
5. LED 驱动器和照明解决方案
6. 太阳能逆变器及其他新能源相关产品
EMF107B7473KALT, EMF107B7473KAHTR, IRF7473
