时间：2025/9/6 11:23:12
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EMB35N04J是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件设计用于高效率、高频操作，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：35A
漏极-源极击穿电压（VDS）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（当VGS=10V时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
EMB35N04J具备低导通电阻，可有效降低功率损耗，提高系统效率。该MOSFET的高电流承载能力使其适用于大功率负载的控制。其高耐压特性确保了在高压瞬态条件下的稳定工作。此外，该器件的封装形式（TO-220）具有良好的散热能力，有助于在高功率应用中保持较低的工作温度。EMB35N04J的栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。
该MOSFET在高频开关应用中表现出色，能够支持高效的DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。其优异的热稳定性和抗热阻能力，使得EMB35N04J在高温环境下仍能保持良好的性能。此外，EMB35N04J还具备较强的抗雪崩能力，可承受一定的过载和瞬态电压冲击，从而提升系统的可靠性。
EMB35N04J广泛应用于各类功率电子设备中，包括但不限于：电源供应器、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和良好的热性能，该器件也常用于便携式设备的电源管理解决方案中。
IRF3710, Si4410DY, FDP35N40, IPW90R045C3
