时间：2025/7/12 11:50:00
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TFC-110-01-F-D-K 是一款薄膜电容器，通常用于高频电路应用中。它具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），能够提供优异的高频性能。
该型号采用了金属化薄膜技术，具有自愈特性，即使在高电压条件下也能保持较高的可靠性。此外，其封装设计紧凑，适合空间受限的应用场景。
容量：10nF
额定电压：500V
耐压值：630V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
尺寸：11.5mm x 10.5mm
引线间距：7.5mm
绝缘电阻：大于10GΩ
介质损耗因数：小于0.001
1. 超低介质损耗，非常适合高频滤波、耦合以及去耦应用。
2. 具备优良的温度稳定性，在宽温范围内电气性能变化极小。
3. 高可靠性设计，采用自愈式金属化膜技术，能够在过载情况下自我修复轻微缺陷。
4. 紧凑型设计，适用于对体积和重量有严格要求的场合。
5. 抗电磁干扰能力强，适合于射频及通信设备中的使用。
TFC-110-01-F-D-K 主要应用于高频电子电路中，例如：
1. 射频模块中的滤波和匹配网络。
2. 功率放大器中的耦合和去耦功能。
3. 无线通信系统中的信号处理部分。
4. 医疗设备中的高频信号传输。
5. 工业控制设备中的电源滤波电路。
由于其出色的高频性能和高可靠性，该电容器特别适合需要长时间稳定运行的环境。
TFC-110-01-F-D-P
TFC-110-01-F-D-S
TFC-110-01-F-D-M
