时间：2025/7/3 11:05:29
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TFC-104-01-F-D-K-TR 是一种表面贴装封装的薄膜芯片电容器。该器件采用多层陶瓷技术制造，具有高可靠性和稳定性，适用于高频和射频电路中的滤波、耦合和旁路应用。其薄膜结构使得该电容器能够在高频下保持低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感），从而确保优异的性能表现。
此型号还具备耐湿性优良的特点，并且在温度变化时仍能保持稳定的电容值。
电容范围：10pF~1000pF
额定电压：50V~500V
工作温度：-55℃~+125℃
封装形式：0603英寸
介质材料：C0G（NP0）
ESR：≤1mΩ
ESL：≤0.3nH
TFC-104-01-F-D-K-TR 的主要特点是其使用了C0G（NP0）介质材料，这种材料提供了极高的温度稳定性和几乎为零的电容漂移。此外，该电容器具有非常低的ESR和ESL，使其非常适合用于高频和射频环境下的精密滤波和信号处理。
由于采用了薄膜技术，该电容器能够有效减少寄生效应，提高整体性能。同时，其紧凑的0603封装尺寸允许在有限的空间内进行更密集的设计，特别适合现代小型化电子设备的需求。
该电容器广泛应用于各种高性能电子产品中，包括但不限于：
- 射频通信模块中的滤波和匹配网络
- 高速数据转换器的电源去耦
- 医疗成像设备中的高频信号处理
- 工业控制系统的噪声抑制
- 汽车电子中的高频滤波和稳压
TFC-104-01-F-D-K-TR 在这些领域中表现出色，能够满足苛刻的工作条件要求。
TFC-104-01-F-D-K-R, TFC-104-01-F-D-N-TR
