您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PJL9425_R2_00001

PJL9425_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:15:40 查看 阅读:16

PJL9425_R2_00001 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换应用,如DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压、高可靠性和良好的热稳定性。作为一款N沟道增强型MOSFET,PJL9425_R2_00001适用于中高功率应用场合,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其封装形式通常为小型化的表面贴装封装,适合高密度PCB布局。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大5.7mΩ(在Vgs=10V时)
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:LFPAK56(双侧散热封装)

特性

PJL9425_R2_00001 具备多项优异特性,使其在高功率密度应用中表现出色。首先,其超低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高转换效率,尤其适用于高电流应用,如服务器电源、车载电源系统和工业电源。其次,该器件采用LFPAK56封装技术,具有优异的热管理性能,能够有效将热量传导至PCB,提升散热效率。
  此外,PJL9425_R2_00001 的栅极氧化层设计经过优化,具备良好的抗静电能力和长期可靠性,适用于严苛的工业环境。其封装结构不含铅,符合RoHS环保标准,并支持自动光学检测(AOI),便于生产过程中的质量控制。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广(支持4.5V至20V),可与多种类型的驱动IC兼容,适用于多种拓扑结构,如同步整流、负载开关、电机驱动等。同时,其内部结构优化设计有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。

应用

PJL9425_R2_00001 主要应用于高性能电源系统,如DC-DC转换器、服务器电源、笔记本电脑电源适配器、车载电源管理系统、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及电机驱动控制电路。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件也适用于高功率负载开关和热插拔电源管理应用。

替代型号

R0600GNJDD-01J | SiSS120DN-T1-GE3

PJL9425_R2_00001推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PJL9425_R2_00001参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥1.91723卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)14 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)23 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2767 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.1W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOP
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)