PJL9425_R2_00001 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换应用,如DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高耐压、高可靠性和良好的热稳定性。作为一款N沟道增强型MOSFET,PJL9425_R2_00001适用于中高功率应用场合,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其封装形式通常为小型化的表面贴装封装,适合高密度PCB布局。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):最大5.7mΩ(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:LFPAK56(双侧散热封装)
PJL9425_R2_00001 具备多项优异特性,使其在高功率密度应用中表现出色。首先,其超低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高转换效率,尤其适用于高电流应用,如服务器电源、车载电源系统和工业电源。其次,该器件采用LFPAK56封装技术,具有优异的热管理性能,能够有效将热量传导至PCB,提升散热效率。
此外,PJL9425_R2_00001 的栅极氧化层设计经过优化,具备良好的抗静电能力和长期可靠性,适用于严苛的工业环境。其封装结构不含铅,符合RoHS环保标准,并支持自动光学检测(AOI),便于生产过程中的质量控制。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广(支持4.5V至20V),可与多种类型的驱动IC兼容,适用于多种拓扑结构,如同步整流、负载开关、电机驱动等。同时,其内部结构优化设计有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。
PJL9425_R2_00001 主要应用于高性能电源系统,如DC-DC转换器、服务器电源、笔记本电脑电源适配器、车载电源管理系统、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及电机驱动控制电路。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件也适用于高功率负载开关和热插拔电源管理应用。
R0600GNJDD-01J | SiSS120DN-T1-GE3