时间：2025/8/14 4:15:40
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PJL9425_R2_00001 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用，如DC-DC转换器、负载开关、电源管理模块等。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压、高可靠性和良好的热稳定性。作为一款N沟道增强型MOSFET，PJL9425_R2_00001适用于中高功率应用场合，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其封装形式通常为小型化的表面贴装封装，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大5.7mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：LFPAK56（双侧散热封装）
PJL9425_R2_00001 具备多项优异特性，使其在高功率密度应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高转换效率，尤其适用于高电流应用，如服务器电源、车载电源系统和工业电源。其次，该器件采用LFPAK56封装技术，具有优异的热管理性能，能够有效将热量传导至PCB，提升散热效率。
此外，PJL9425_R2_00001 的栅极氧化层设计经过优化，具备良好的抗静电能力和长期可靠性，适用于严苛的工业环境。其封装结构不含铅，符合RoHS环保标准，并支持自动光学检测（AOI），便于生产过程中的质量控制。
该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广（支持4.5V至20V），可与多种类型的驱动IC兼容，适用于多种拓扑结构，如同步整流、负载开关、电机驱动等。同时，其内部结构优化设计有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
PJL9425_R2_00001 主要应用于高性能电源系统，如DC-DC转换器、服务器电源、笔记本电脑电源适配器、车载电源管理系统、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及电机驱动控制电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也适用于高功率负载开关和热插拔电源管理应用。
R0600GNJDD-01J | SiSS120DN-T1-GE3
