时间：2025/6/25 15:17:23
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EMB15N03A是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于增强型N沟道器件。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景中。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能，从而减少功率损耗并提高系统效率。
EMB15N03A采用标准TO-220封装形式，具备出色的散热性能，能够满足工业及消费类电子产品的严格要求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：15A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通状态下的功率损耗。
2. 快速开关速度，适用于高频应用场合。
3. 具备较高的雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 栅极阈值电压适中，便于与各类驱动电路兼容。
5. 热稳定性强，适合长时间高温环境运行。
6. 封装牢固，具有良好的机械强度和电气连接性能。
EMB15N03A主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的功率开关。
2. 电机驱动中的桥式电路组件。
3. DC-DC转换器的核心功率元件。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 消费类电子产品中的高效功率管理模块。
6. LED照明驱动电路中的开关器件。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP15N6S
