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BAS16WT1G 发布时间 时间:2025/4/30 11:37:24 查看 阅读:24

BAS16WT1G是一种超小型表面贴装(SMD)封装的双二极管芯片,广泛应用于各种电子电路中。这款芯片内置两个快速恢复二极管,适用于高频开关、信号整流以及保护电路等场景。其设计具有低正向压降、快速反向恢复时间和高浪涌电流能力等特点。BAS16WT1G采用TO-275-2封装形式,非常适合在空间受限的环境中使用。
  BAS16系列中的每个型号都以不同的封装和电气特性区分,而BAS16WT1G特别适合需要高性能和小尺寸的应用场景。

参数

最大重复峰值反向电压:40V
  最大直流反向电流:5μA
  最大平均整流电流:200mA
  最大浪涌电流:1A
  典型正向电压:1.1V
  结电容:4pF
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

BAS16WT1G的主要特性包括:
  1. 快速反向恢复时间,能够满足高频开关应用需求。
  2. 超低漏电流,确保在低功耗应用中的高效性能。
  3. 高度可靠的封装技术,使其能够在恶劣环境下稳定运行。
  4. 小型化设计,节省PCB空间,适合便携式设备和其他紧凑型产品。
  5. 高浪涌电流承受能力,增强了器件的耐用性和抗干扰能力。
  6. 工作温度范围广,适应多种复杂环境。

应用

BAS16WT1G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流电路。
  2. 各种消费类电子产品中的保护电路,如手机充电器、USB接口保护。
  3. 通信设备中的高频信号处理电路。
  4. LED驱动电路中的整流和保护功能。
  5. 工业自动化控制系统的信号隔离与保护。
  6. 电池管理系统中的过压保护和放电控制。

替代型号

BAS16W, BAS16, BAT42

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BAS16WT1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)75V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 150mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)6ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BAS16WT1GOSDKR