时间：2025/8/13 18:55:36
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EMB06N06H 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等场景。该器件采用高性能的MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和优良的热性能，适合在高效率、小体积的电源系统中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
EMB06N06H 的核心优势在于其卓越的导通性能和热管理能力。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，确保了在高电流下的低导通损耗，从而提升了系统的整体效率。其低RDS(on)值（最大3.2mΩ）在高负载条件下能显著减少功率损耗，降低发热量，从而延长器件和系统的使用寿命。
此外，EMB06N06H 的封装设计（TO-220AB）提供了良好的散热性能，使其能够在高功率密度应用中稳定运行。其高达60A的连续漏极电流能力，使其适用于需要大电流输出的电源系统，例如服务器电源、工业电源和电池管理系统。
EMB06N06H 主要用于各种高功率电子设备中，作为核心的功率开关元件。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高电流承载能力和低导通电阻特性，使其在高效能、紧凑型电源设计中尤为受欢迎。
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"TPH6R30ANL,Toshiba",
"TPH7R00ANL,Toshiba",
"TKA110N60D,东芝"
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