时间：2025/6/21 4:00:50
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2SK2034是一种N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高频和高功率放大器电路中。这种晶体管以其优异的增益性能和低噪声特性而闻名，适合于射频（RF）应用和其他需要高性能的场景。
该器件采用TO-39封装形式，这有助于其在高频工作时具备良好的散热性能。由于其较高的击穿电压和较低的导通电阻，2SK2034适用于各类音频和射频放大器，以及开关电源等应用场景。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
漏极直流电流：1.5A
输入电容：约280pF
跨导：约4000μS
截止频率：约1GHz
功耗：约30W
2SK2034具有非常高的增益带宽积，能够在高频条件下保持稳定的工作状态。
它的低噪声特性和线性输出能力使其成为射频应用的理想选择。
同时，由于其较高的击穿电压和较大的漏极电流容量，能够处理较为苛刻的功率需求。
此外，2SK2034的动态特性优越，可以有效减少失真并提升整体效率。
它还具有相对较低的热阻，确保长时间运行时具备较好的散热性能。
2SK2034主要应用于射频功率放大器、高频通信设备、无线传输模块、卫星接收器、电子战系统以及测试测量仪器等领域。
此外，它也可用于工业领域中的高功率驱动器或开关电源解决方案，特别是在需要高效能和低失真的场合。
2SK2961
