EM6K7T2R 时间：2025/12/25 10:11:28 阅读：18

EM6K7T2R是一款由Elpida（尔必达）公司生产的DDR3 SDRAM内存芯片。该芯片广泛应用于计算机、服务器以及其他需要大容量高速内存的电子设备中。作为一款高性能的动态随机存取存储器，EM6K7T2R在数据处理和临时存储方面表现出色。它采用先进的制造工艺，具备高密度、低功耗和高可靠性的特点，适用于多种工作环境。该芯片通常被用作主板上的内存条核心组件，也可用于嵌入式系统和其他对性能要求较高的应用场景。

参数

类型：DDR3 SDRAM
　　容量：4Gb（512M x 8）
　　电压：1.5V ± 0.075V
　　工作温度：0°C 至 95°C
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-pin
　　数据速率：支持高达1600Mbps的数据传输速率
　　刷新周期：标准自动刷新模式
　　时序参数：CL=11, tRCD=11, tRP=11（具体以实际规格书为准）
　　组织结构：512M x 8位结构
　　兼容性：符合JEDEC DDR3标准

特性

EM6K7T2R采用了先进的CMOS工艺技术，确保了其在高频运行下的稳定性和能效表现。该芯片支持多种低功耗模式，包括自刷新和电源关闭模式，能够在设备待机或低负载状态下显著降低能耗，延长系统整体的使用寿命。
　　其内部架构设计优化了数据路径，提升了读写操作的响应速度和吞吐量。通过使用差分时钟输入（CK/CK#），实现了精确的同步控制，保证了高速数据传输过程中的信号完整性。此外，芯片还集成了片上终端电阻（ODT），有效减少了外部电路的复杂度，并改善了信号反射问题，提高了系统的稳定性。
　　EM6K7T2R支持突发长度可编程功能，允许用户根据应用需求选择不同的突发传输模式，如突发4和突发8，从而灵活适配不同场景下的性能需求。同时，它具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的工作状态，适合工业级和商业级应用。
　　为了提高抗干扰能力，该芯片在设计上采用了多层屏蔽和去耦电容布局建议，推荐在PCB布线时遵循严格的阻抗匹配规则。另外，其96球FBGA封装形式不仅节省空间，还便于自动化贴装，适合大规模生产制造。每个存储单元都经过严格测试，确保出厂前的质量一致性。