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GA1206Y682JXABR31G 发布时间 时间:2025/7/2 14:46:18 查看 阅读:10

GA1206Y682JXABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
  该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有较高的电流承载能力和良好的热性能,适用于高功率密度的设计场景。

参数

最大漏源电压:60V
  持续漏极电流:120A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:超快
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y682JXABR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性。
  4. 优化的热性能设计,有助于改善散热表现。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 支持大电流操作,适用于工业级及高功率应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备
  6. 电动车和混合动力车的逆变器模块
  其出色的性能使其成为高功率转换和驱动应用的理想选择。

替代型号

IRF540N
  STP120N06LL
  FDP12N60

GA1206Y682JXABR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-