类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：50A
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.15Ω
　　功率耗散（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

ELS505YWA 采用了先进的平面工艺技术，具备出色的热稳定性和可靠性。其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高耐压能力（500V）使其能够在高电压环境下稳定运行，适用于多种工业和消费类应用。此外，该MOSFET具备快速开关能力，减少了开关损耗，有助于提高系统的工作频率和响应速度。其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。在高温环境下，ELS505YWA 依然能够保持稳定的电气性能，确保系统长期可靠运行。这些特性使其成为电源转换、电机控制、照明驱动和工业自动化设备中的理想选择。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许使用多种驱动电路，增强了设计的灵活性。其内部结构优化，降低了寄生电感和电容，有助于减少高频工作下的噪声和干扰。同时，ELS505YWA 具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，提升了系统的安全性和稳定性。

ELS505YWA 广泛应用于各种电力电子设备中，如高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动电路以及工业自动化控制设备。此外，该MOSFET也可用于LED照明驱动、不间断电源（UPS）和电池管理系统等场景。

IXFH50N50P, IXFN50N50P, IRFP460LC