BL-HKC34C-AV-TRB是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高耐压特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款功率MOSFET支持大电流应用,并且在高频工作条件下表现出色。其封装形式经过优化设计,具备良好的散热性能,适合工业级和消费电子领域的各种应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大持续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,@Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):2200pF
输出电容(Coss):380pF
反向传输电容(Crss):80pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著减少传导损耗,提高整体系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用场合,如开关电源和逆变器。
3. 大电流承载能力,满足高性能功率转换需求。
4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度环境下长期运行。
5. 先进的封装技术确保了出色的散热性能和机械强度。
6. 内置ESD保护功能,提升了芯片的抗静电能力,从而增强了产品的鲁棒性。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. DC-DC转换器的核心功率元件。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. LED照明系统的恒流驱动器。
IRF3205
FDP5500
AON6920