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BL-HKC34C-AV-TRB 发布时间 时间:2025/6/3 14:51:25 查看 阅读:8

BL-HKC34C-AV-TRB是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高耐压特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款功率MOSFET支持大电流应用,并且在高频工作条件下表现出色。其封装形式经过优化设计,具备良好的散热性能,适合工业级和消费电子领域的各种应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大持续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):2200pF
  输出电容(Coss):380pF
  反向传输电容(Crss):80pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),可显著减少传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用场合,如开关电源和逆变器。
  3. 大电流承载能力,满足高性能功率转换需求。
  4. 良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度环境下长期运行。
  5. 先进的封装技术确保了出色的散热性能和机械强度。
  6. 内置ESD保护功能,提升了芯片的抗静电能力,从而增强了产品的鲁棒性。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. DC-DC转换器的核心功率元件。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. LED照明系统的恒流驱动器。

替代型号

IRF3205
  FDP5500
  AON6920

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