EL6N136S(TA) 是一种高速光耦合器,主要用于实现电气隔离和信号传输。该器件采用了GaAsP 发光二极管(LED)与高灵敏度光电晶体管组合,能够在高压环境下提供稳定的性能。
这种光耦合器具有较高的共模抑制能力,适用于各种工业、通信以及消费类电子产品中的隔离应用。
工作温度范围:-40°C 至 +110°C
电流传输比(CTR):50% to 200%
输入LED正向电压:1.1V 至 1.5V
最大输出集电极-发射极电压:70V
最大工作电压(隔离电压):2500Vrms
最大导通时间:1μs
最大关断时间:1μs
封装类型:DIP-4
EL6N136S(TA) 的主要特点包括:
1. 高速开关性能,适合高频信号传输应用。
2. 具备宽范围的电流传输比(CTR),确保在不同条件下的一致性。
3. 提供较强的电气隔离能力,能有效防止噪声干扰。
4. 工作温度范围广,适应多种恶劣环境下的使用需求。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 封装小巧,便于安装和集成到紧凑型电路中。
EL6N136S(TA) 广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化设备中的信号隔离模块。
2. 电源供应器和变频器中的隔离控制电路。
3. 医疗设备中的患者监护仪器,如心率监测仪等。
4. 数字通信系统中的数据隔离接口。
5. 汽车电子系统中的驱动电路和控制单元。
6. 消费类电子产品中的低功耗隔离电路。
HCPL-0631, PS2801-1, ILD615