BZT52C13是一款齐纳二极管(Zener Diode),属于BZT52C系列,广泛应用于电压稳压、参考电压产生以及过压保护电路中。该器件具有高精度的反向击穿电压特性,在电路设计中可以为敏感元件提供可靠的保护功能。
BZT52C系列齐纳二极管采用了玻璃钝化技术制造,具备低动态电阻和优异的温度稳定性,从而保证了在各种环境条件下的性能一致性。BZT52C13的具体齐纳电压为13V,适用于需要稳定电源输出或精确参考电压的设计场景。
型号:BZT52C13
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):13V
最大齐纳电流(Iz):5mA
测试电流(Izt):1mA
动态阻抗(Zzt):≤25Ω
反向漏电流(Ir):≤10μA(在齐纳电压下)
额定功率(Pz):0.4W
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:DO-35/SOD-80
BZT52C13具有以下显著特点:
1. 精确的齐纳电压值,误差范围较小,适合对电压精度要求较高的应用。
2. 良好的温度稳定性,确保其在不同温度条件下都能保持稳定的性能。
3. 动态阻抗较低,有助于提升电路中的响应速度和效率。
4. 小型化的封装形式使其非常适合紧凑型设计需求。
5. 反向漏电流低,能够有效减少不必要的能量损耗。
6. 支持较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
BZT52C13可用于多种电子设备及电路设计中,具体包括:
1. 电源稳压器电路中的电压调节部件。
2. 数字电路中的参考电压生成模块。
3. 过压保护电路中的核心元器件,用于防止外部瞬态电压对下游负载造成损害。
4. 信号调节电路中的箝位二极管,以限制输入或输出信号的幅值。
5. 测量仪器中的基准电压源。
6. 汽车电子系统中的保护电路组件,如车载传感器和控制器保护。
BZX84C13, 1N5229B