容量：16Mbit（2MB）
　　组织方式：x16
　　访问时间：8.5ns
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-II
　　引脚数：54
　　最大工作频率：约117MHz（基于访问时间计算）
　　封装尺寸：54-TSOP

HY62SF16403ALLM-85IDR 是一款高性能异步SRAM芯片，具有高达8.5ns的访问时间，适用于对数据存取速度要求较高的系统。其采用CMOS工艺，具有较低的功耗特性，尤其在待机模式下功耗极低，适合用于便携式设备或对功耗敏感的应用。该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了在不同电源环境下的兼容性。此外，其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在严苛环境下稳定运行。
　　该器件的x16位宽设计允许每次访问16位数据，提高了数据传输效率。TSOP封装不仅减小了PCB空间占用，而且提高了抗干扰能力，增强了高频操作的稳定性。HY62SF16403ALLM-85IDR的异步接口设计无需外部时钟信号，简化了与控制器的连接，适用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备等应用场景。

HY62SF16403ALLM-85IDR 主要用于需要高速、低功耗存储的应用场合。常见的应用包括通信设备中的缓存存储器、工业控制系统中的临时数据存储、图像处理设备中的帧缓存、网络设备中的路由表存储，以及各种嵌入式系统中的主SRAM。其宽电压范围和工业级温度适应性使其特别适合用于复杂环境下的高可靠性系统。

CY62167VLL-85B5I-SX951, IS61WV102416BLL-85B4I-PLUS, IDT71V1216SA85BGI