EL1019-TA-VG是一款由Intersil公司推出的高速、低功耗、双路比较器集成电路。该芯片专为需要快速响应和高精度比较的应用设计,适用于工业自动化、测试设备、电源管理系统和通信设备等领域。EL1019-TA-VG采用先进的高速双极型工艺制造,具有优异的动态性能和稳定性,同时具备低功耗的特点,使其在多种高性能电子系统中表现出色。
类型:高速比较器
电源电压:5V 至 12V
输出类型:推挽输出
传播延迟:约 6ns(典型值)
响应时间:小于 6ns
输出电流:±16mA(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSSOP
引脚数:8
功耗:约 30mA(典型值)
输入偏置电流:约 2.5μA(典型值)
输入失调电压:±2mV(典型值)
共模抑制比(CMRR):70dB
电源抑制比(PSRR):70dB
EL1019-TA-VG具有多项显著的性能特点,使其在高速比较器中表现出色。首先,它的传播延迟极低,仅为6ns左右,这意味着它可以快速响应输入信号的变化,适用于高速信号处理和实时控制系统。其次,该比较器的输入失调电压非常小,典型值仅为±2mV,这确保了比较结果的高精度。此外,EL1019-TA-VG具备宽广的电源电压范围(5V至12V),使其能够适应多种电源配置,提高设计的灵活性。
该芯片的输出结构为推挽输出,能够提供较强的驱动能力,典型输出电流为±16mA,适用于直接驱动负载或连接其他数字电路。同时,EL1019-TA-VG的功耗较低,典型工作电流为30mA,有助于降低系统的整体功耗,提升能效。芯片的输入偏置电流较小,典型值为2.5μA,这意味着它可以减少对外部电路的影响,提高系统的稳定性。
此外,EL1019-TA-VG具备良好的抗干扰能力,其共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)均为70dB,可以有效抑制共模噪声和电源波动带来的影响,确保比较器在复杂电磁环境中仍能稳定工作。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境,具有较强的环境适应性。
EL1019-TA-VG广泛应用于需要高速、高精度比较的电子系统中。常见的应用包括高速数据采集系统中的信号比较、电源管理系统中的过压/欠压检测、自动测试设备中的阈值检测、通信设备中的信号整形与同步等。此外,它还可用于工业控制系统的传感器信号处理、马达控制电路中的比较器功能,以及各种嵌入式系统中的模拟信号监测。由于其低功耗和高稳定性,EL1019-TA-VG也非常适合用于便携式电池供电设备中的电压监测和管理电路。
EL9102-TA-VG, MAX9102EKA+, LMH7322MAE/NOPB