类型：DRAM
　　容量：256K x 16
　　组织结构：256K地址 x 16位数据宽度
　　电源电压：5V
　　访问时间：8ns（最大）
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
　　时钟频率：可支持高速操作
　　数据保持时间：典型值为16ms或64ms（根据刷新机制）
　　刷新模式：自动刷新或自刷新模式

HM514260DLTT-8 是一款高速DRAM存储器，其核心特性包括快速的访问时间和较大的存储容量。该芯片采用CMOS技术制造，确保了较低的功耗和较高的抗干扰能力。其TSOP封装设计有助于减少电路板空间占用，同时提供良好的散热性能，适用于高密度电路设计。此外，该芯片支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，能够在不牺牲数据完整性的前提下降低功耗。
　　在性能方面，HM514260DLTT-8 的8ns访问时间使其适用于需要快速数据存取的应用场景，如缓存存储、图形处理和嵌入式系统的主存储器。其54引脚TSOP封装形式也便于自动化生产过程中的安装和焊接。
　　可靠性方面，该芯片采用先进的制造工艺，具有较长的使用寿命和稳定的工作表现。其支持的工业级工作温度范围确保了在各种恶劣环境下仍能保持正常运行。此外，该芯片具备良好的兼容性，可与其他标准DRAM控制器和系统架构无缝集成，从而简化了系统设计和开发流程。

HM514260DLTT-8 通常应用于需要较高内存性能的电子设备中，包括但不限于：
　　? 工业计算机和控制设备
　　? 早期的个人计算机和服务器主板
　　? 嵌入式系统，如医疗设备、测试仪器和通信设备
　　? 图形加速卡或视频采集卡
　　? 需要高速缓存的网络设备
　　? 老旧的工业自动化系统或升级项目
　　由于其较高的稳定性和兼容性，该芯片也常用于一些需要长期运行的设备中，特别是在那些对内存容量和速度有一定要求但不需要最新DDR技术的场景。

HY514260CTJ-8C，HY514260CTP-8C，CY7C14260CV3-8B