PDT2008 时间：2025/7/30 10:50:44 阅读：16

PDT2008 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力，使其适用于各种需要高效率和高性能的电源管理系统。PDT2008 通常采用 TO-220 或 D2PAK 等封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：60V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流 (Id)：100A
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 5.5mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗 (Ptot)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

特性

PDT2008 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够保持较低的功率损耗和较高的效率。该器件采用了 STMicroelectronics 的先进沟槽栅极技术，确保了在高频率开关操作下的稳定性和可靠性。PDT2008 还具有较高的热阻能力，能够在高功率条件下保持稳定的性能。
　　此外，PDT2008 具有较强的电流承载能力和较高的耐用性，适用于各种高功率应用，如 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及电源管理模块。其坚固的封装设计确保了良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。
　　该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供额外的保护，从而延长设备的使用寿命。其快速的开关速度也使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了整体系统效率。

应用

PDT2008 主要应用于需要高功率密度和高效率的电子系统中，包括工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、电动车充电系统、太阳能逆变器以及各种高功率负载开关控制电路。由于其优异的热性能和电气性能，PDT2008 也常用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统等。