电容值：180 pF
　　容差：±20%
　　额定电压：500 V
　　介质材料：Class I (温度补偿型，如C0G/NP0)
　　封装尺寸：1812 (4.5 mm x 3.2 mm)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min.
　　损耗角正切（tanδ）：≤ 0.0015
　　温度系数：0 ppm/°C ±30 ppm/°C

EKMQ451VSN181MQ40S 具有优异的温度稳定性，其Class I介质材料确保了在宽温度范围内电容值的恒定，适用于高精度的电路设计。
　　该电容器具有低损耗特性，使其在高频电路中表现出色，适用于射频（RF）和高速数字电路中的滤波和去耦应用。
　　其1812封装尺寸提供了较高的电容密度，同时具备良好的焊接可靠性和机械强度，适用于表面贴装技术（SMT）制造工艺。
　　该型号具有良好的耐高压能力，额定电压为500 V，适用于中高电压电路中的去耦和滤波。
　　此外，EKMQ451VSN181MQ40S 符合RoHS环保标准，无铅且无镉，符合现代电子制造的环保要求。

EKMQ451VSN181MQ40S 广泛应用于射频（RF）模块、无线通信设备、电源管理电路、测试测量仪器、工业控制系统和消费类电子产品中。
　　在射频电路中，该电容器常用于匹配网络、滤波器和耦合电路，以确保信号的稳定传输和低损耗。
　　在电源电路中，它用于输入/输出去耦，以降低高频噪声并提高电源稳定性。
　　此外，该电容器也适用于高精度模拟电路，如运算放大器、滤波器和振荡器等，以确保电路的温度稳定性和长期可靠性。
　　由于其高耐压特性，它也常用于中高压电路的滤波和隔离应用，如AC-DC转换器和电机控制电路。

TDK C0805C181J5GAC7800, KEMET C1812C181J5RACTU