KTB1260G 时间：2025/9/11 15:59:12 阅读：21

KTB1260G是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等场景。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热性能和电流承载能力。KTB1260G在设计上优化了导通电阻和开关特性，以提高系统效率和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTB1260G具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使得在高电流工作状态下功率损耗显著降低，有助于提高整体系统效率。
　　该器件具备高耐压特性，其漏源击穿电压达到60V，适合多种中高压功率应用场合。
　　KTB1260G采用TO-252封装，具有良好的散热性能，能够承受较高的工作电流，适用于需要高功率密度的设计。
　　此外，该MOSFET具有较高的栅极电压容限（±20V），增强了在复杂电磁环境中的稳定性和可靠性。
　　其快速开关特性也使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用，有助于减小外围元件尺寸并提高转换效率。

应用

KTB1260G主要应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池保护电路。
　　在通信设备、服务器电源、工业控制系统以及消费类电子产品中，该MOSFET可用于高效的功率开关控制。
　　由于其良好的热性能和高电流承载能力，KTB1260G也非常适合用于需要高可靠性的车载电源系统和电池管理系统（BMS）中。
　　同时，该器件也适用于电机驱动、LED照明电源等需要高效能功率控制的场合。