类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 7.2mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerPAK? SO-8 双面散热
　　引脚数：8

EGT106M1HD11TCS0P-R 具备多项优异性能，包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力（60A）使其适用于大功率应用场景。该 MOSFET 还具备良好的热性能，采用 PowerPAK? SO-8 封装，能够有效散热，提高器件的可靠性与寿命。
　　此外，该器件支持高达 ±20V 的栅极电压，具有良好的栅极击穿耐受能力，适用于多种驱动电路。其沟槽式 MOSFET 结构优化了开关性能，降低了开关损耗，有助于在高频应用中保持高效率。
　　该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，可在高应力条件下保持稳定运行。内置的体二极管也提供了良好的反向恢复特性，适用于需要高频率切换的电路拓扑结构，如同步整流和H桥驱动电路。

EGT106M1HD11TCS0P-R 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、服务器电源、电动工具、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及汽车电子中的功率控制模块。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于同步整流拓扑结构中的高边和低边开关。在电机控制应用中，它能够提供快速的开关响应和低损耗，有助于提高整体系统的动态响应和效率。
　　此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及光伏逆变器等可再生能源系统中，作为关键的功率转换元件。

SiR106DP-T1-GE3, FDS6680, IPB065N06S4-03, NVTFS5C471NLWT