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IRFB41N15DPBF 发布时间 时间:2025/6/28 22:25:13 查看 阅读:5

IRFB41N15DPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用TO-263封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换系统中。这款MOSFET在高频应用中表现出色,并且能够有效降低功耗。
  该型号是专门为工业和汽车应用设计的,其出色的热性能和可靠性使得它成为许多大功率电路中的理想选择。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:37A
  最大脉冲漏极电流:110A
  导通电阻:0.018Ω
  栅极电荷:95nC
  总电容:2420pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRFB41N15DPBF具备以下主要特性:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压为150V,适用于多种高压场景。
  2. 极低的导通电阻(0.018Ω),有助于减少传导损耗并提升效率。
  3. 支持大电流操作,连续漏极电流可达37A,峰值脉冲电流高达110A。
  4. 具有快速开关能力,栅极电荷仅为95nC,能有效减少开关损耗。
  5. 热稳定性强,能够在极端温度范围内(-55℃至+175℃)可靠运行。
  6. 封装形式为TO-263(DPAK),便于散热管理以及PCB布局设计。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅材料制造。

应用

该MOSFET适用于各种需要高效功率转换的应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如AC-DC适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于电池供电设备或汽车电子系统。
  3. 电机控制与驱动,如步进电机、直流无刷电机驱动。
  4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 负载开关和保护电路。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  由于其优异的电气特性和热性能,IRFB41N15DPBF特别适合于要求高性能和高可靠性的应用场景。

替代型号

IRFP41N15PBF, IRFZ44N, FDP5500NL

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IRFB41N15DPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C41A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2520pF @ 25V
  • 功率 - 最大200W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFB41N15DPBF